Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 17.62kr | 22.03kr |
5 - 9 | 16.74kr | 20.93kr |
10 - 24 | 15.86kr | 19.83kr |
25 - 49 | 14.98kr | 18.73kr |
50 - 69 | 13.54kr | 16.93kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 17.62kr | 22.03kr |
5 - 9 | 16.74kr | 20.93kr |
10 - 24 | 15.86kr | 19.83kr |
25 - 49 | 14.98kr | 18.73kr |
50 - 69 | 13.54kr | 16.93kr |
2SA1358Y. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F (2-8A1H). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3421Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.