Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

2SA1358Y

2SA1358Y
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 17.62kr 22.03kr
5 - 9 16.74kr 20.93kr
10 - 24 15.86kr 19.83kr
25 - 49 14.98kr 18.73kr
50 - 69 13.54kr 16.93kr
Kvantitet U.P
1 - 4 17.62kr 22.03kr
5 - 9 16.74kr 20.93kr
10 - 24 15.86kr 19.83kr
25 - 49 14.98kr 18.73kr
50 - 69 13.54kr 16.93kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 69
Set med 1

2SA1358Y. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Kollektorström: 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F (2-8A1H). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC3421Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 12/01/2025, 19:25.

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.