Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 5W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.15W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 0.03A. Driftstemperaturområde min (°C): PNP. Drifttemperaturområde max (°C): 30 v

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): D8A/C. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V/35V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 5W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-126. CE-diod: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 4W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF. Kollektorström: 0.05A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 150V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2073. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: ljud/video. Kollektorström: 0.05A. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: 9mm höjd

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: PCT-process. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 80. Kollektorström: 0.8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2235-Y. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 4pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 0.1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2240. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.5A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1.5A. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SC2275

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Kollektorström: 0.2A. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 8W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M10/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W

BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Kollektorström: 0.1A. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Kollektorström: 2A. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623S. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Kollektorström: 2A. obs: screentryck/SMD-kod BF. Märkning på höljet: BF. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Funktion: Medium POWER, solenoid, relä- och ställdondrivrutiner & DC/DC-moduler. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1623T. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS