Transistorer

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-1. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.125W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: GE. Kollektorström: 0.15A. obs: >30. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Kollektorström: 1.5A. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Maximal förlust Ptot [W]: 20W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M17/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V/80V. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M17/J. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/20V. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V/15V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 25V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD468

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 0.1A. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Hölje: SC-71. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/25V. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: B647. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD667. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Typ av transistor: PNP. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 27pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 140 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 100. Kollektorström: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD669A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Kollektorström: 8A. Märkning på höljet: B668. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD718

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7 MHz. Kollektorström: 7A. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 170V

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Samlarström Ic [A], max.: 7A. Maximal förlust Ptot [W]: 40W

Kostnad): 2.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 160. Kollektorström: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: AQ. RoHS: NINCS. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): MINI MOLD. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD601. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Samlarström Ic [A], max.: 1A. Maximal förlust Ptot [W]: 0.9W

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-126. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD882. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1047. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Motstånd B: 10. BE-motstånd: 47. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Kollektorström: 4A. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 70V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1133

Motstånd B: 10. BE-motstånd: 47. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: PNP transistor. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 2A. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1138. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS