Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 25.85kr | 32.31kr |
5 - 9 | 24.56kr | 30.70kr |
10 - 24 | 23.26kr | 29.08kr |
25 - 41 | 21.97kr | 27.46kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 25.85kr | 32.31kr |
5 - 9 | 24.56kr | 30.70kr |
10 - 24 | 23.26kr | 29.08kr |
25 - 41 | 21.97kr | 27.46kr |
2SB688. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 55. Kollektorström: 8A. Märkning på höljet: B668. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD718. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 03:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.