Transistorer

Kostnad): 20pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 180. Kollektorström: 1A. Märkning på höljet: BA. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89 (SC-62). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 39pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126ML. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1683. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 50pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan typ . Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): SC-67. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Kostnad): 95pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Kollektorström: 8A. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 20 ns. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1804. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 320 MHz. Funktion: Strob högströmsväxling. Kollektorström: 5A. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Spec info: TO-251 (I-Pak)

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 3A. obs: =4000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Kollektorström: 1A. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Kollektorström: 2A. obs: hFE 180...390. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Spec info: 2SB1240R

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 82. Kollektorström: 3A. Ic(puls): 4.5A. Märkning på höljet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): ATV. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Vebo: 5V

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Kollektorström: 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Kollektorström: 3A. obs: >2000. Pd (effektförlust, max): 1W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Kollektorström: 6A. obs: =10000. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Max hFE-förstärkning: 10000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Kollektorström: 4A. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1933

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 9 MHz. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD1913

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Max hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390

Darlington-transistor?: 1. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 10A. Ic(puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Typ av transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2390. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2394

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L. Kollektorström: 12A. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2401

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2438. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 10A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2439. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Kollektorström: 6A. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2495

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Kollektorström: 15A. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Typ av transistor: PNP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Funktion: HI-FI Audio Effektförstärkare och regulator. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2560

Kostnad): 100pF. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Kollektorström: 6A. Pd (effektförlust, max): 50W. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): MT-25 (TO220). Typ av transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SD2589. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS