Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 88.97kr | 111.21kr |
2 - 2 | 84.52kr | 105.65kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 88.97kr | 111.21kr |
2 - 2 | 84.52kr | 105.65kr |
2SB1470. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Kollektorström: 8A. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Typ av transistor: PNP. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.