NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/J, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/800V. Maximal förlust Ptot [W]: 150W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.5A, 80V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Lågfrekvensomvandlarapplikationer. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1480. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/18V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, TO-220FP, TO-220F. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Antal per fodral: 1. Funktion: S-L. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/16V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.2A, 200V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1476. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 550V. C(tum): 4pF. Kostnad): 10pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126LP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Motstånd B: 22. BE-motstånd: 22. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 260 MHz. Funktion: hFE 800. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 75V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Motstånd B: 47. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: TV-ZF-E. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): MF20 TO220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Drivrutin för solenoid och motor. Minsta hFE-förstärkning: 500. Pd (effektförlust, max): 25W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): MF20 TO220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Drivrutin för solenoid och motor. Minsta hFE-förstärkning: 500. Pd (effektförlust, max): 25W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PM, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, 200V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Märkning på höljet: C3856. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1492. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 130W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 17A, MT-200, 200V. Kollektorström: 17A. Hölje (enligt datablad): MT-200. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, 800V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V