NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 7A, 600V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Märkning på höljet: C3886A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.02A, 25V. Kollektorström: 0.02A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Funktion: TV/IF. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HA, Hi-res. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Rbe 60 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, 600V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HA, Hi-res. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 8A, 600V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HA, Hi-res. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/J, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V. Maximal förlust Ptot [W]: 130W

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: HF. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 95. Ic(puls): 1.5A. Märkning på höljet: C3944. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, 800V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HA hi-def.. Pd (effektförlust, max): 180W. Spec info: MONITOR. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: Högspänningsdrivrutinsapplikationer. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 450V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: 500/2200ns. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 600V

NPN-transistor, 0.065A, 10V. Kollektorström: 0.065A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF. Spec info: 9000MHZ. Effekt: 200mW. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: 2SD4106M. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 20A. Märkning på höljet: C4107. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: DC/DC spänningsomvandlare. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 14A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.7A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 270 MHz. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (effektförlust, max): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SMV-5, 0.15A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SMV-5. Samlarström Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: dubbel NPN bipolär transistor. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 5. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 80 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 3A, 800V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 45W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: Switching Power Transistor. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: HFX-serien. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1633. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorström: 0.3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VHF bredbandsförstärkare. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Högspännings NPN-transistor för ljud och allmänna applikationer.. Minsta hFE-förstärkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1668. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, 120V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1671. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, 140V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1672. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V