NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 232. Minsta hFE-förstärkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/35V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, A21/B, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: A21/B. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V/10V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.12W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1000V/500V. Maximal förlust Ptot [W]: 22W

NPN-transistor, 0.2A, 60V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 220 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, 50V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, 20V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 120pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Ljudeffektförstärkare, DC-DC-omvandlare. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB817. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: höghastighetsväxelriktare, omvandlare, låg-sat. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 15A. Märkning på höljet: D1062. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB826. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Kostnad): 200pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 130V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 230. Minsta hFE-förstärkning: 60. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: ersättning. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Spec info: ersättning. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB892. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SD1279. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 600V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, M37/J, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M37/J. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 8A, 120V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 80W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V