NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, 160V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Pd (effektförlust, max): 85W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1673. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1695. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1695. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): FM20 (TO220F). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Funktion: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (effektförlust, max): 25W. Teknik: NPN Triple Diffused Planar Transistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 550V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 6 MHz. Funktion: Högspänningsswitchtransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 550V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, 10A, 600V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SC-71. Hölje (enligt datablad): SC-71. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 14pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 140. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: 12.9k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1770. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SC-71. Hölje (enligt datablad): SC-71. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 14pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 2500. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: 12.9k Ohms. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1770. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10mA, 1500V. Kollektorström: 10mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: dynamisk fokus, högspänningsomkoppling. obs: Ic--10mA/30mApp. Pd (effektförlust, max): 2W. Spec info: TO-220FI (Forming). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10mA, 1800V. Kollektorström: 10mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: dynamiskt fokus. obs: Ic--10mA/30mApp. Pd (effektförlust, max): 2W. Spec info: TO-220FI. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 2000V

NPN-transistor, 2A, SOT-89, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 25pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. obs: screentryck/SMD-kod DK. Märkning på höljet: DK. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1797. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.13V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 50mA, 1200V. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus Applications. obs: Högspänningsomkopplingsapplikationer. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: TO-220F. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 80V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. obs: (F). Pd (effektförlust, max): 55W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1803. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Kompatibilitet: CVM4967A. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Max hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 16A. Ekvivalenta: SAMSUNG 891 464744AA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad". Tf(max): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Display-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: VGA-skärm. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 800V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Hölje (enligt datablad): TO3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 3. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 60W. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf (typ): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 20pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1837. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN