NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 20A, 800V. Kollektorström: 20A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 120W. Spec info: 8.729.033.99. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 35A. Märkning på höljet: C5302. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: snabb hastighet (tf=100ns typ). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Max hFE-förstärkning: 38. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 30A. Märkning på höljet: C5331. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.12us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, D35/B, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D35/B. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Pd (effektförlust, max): 180W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1987. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92S. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: allmänt syfte. Ic(puls): 400mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA608. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Max hFE-förstärkning: 35. Minsta hFE-förstärkning: 4.3. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR Hi-res. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, 600V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: VCE(sat) 3V max. obs: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: VCE(sat) max. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 190pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: fH--64KHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V

NPN-transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Hölje (enligt datablad): TO-3PFM. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Horisontell avböjningsutgång. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5449. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: Höghastighetsomkoppling. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Kollektorström: 70mA. Hölje (enligt datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 90. Märkning på höljet: LN. Pd (effektförlust, max): 0.1W. Spec info: screentryck/SMD-kod LN. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Kollektorström: 17A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Max hFE-förstärkning: 12:1. Minsta hFE-förstärkning: 6. Ic(puls): 30A. Märkning på höljet: C5583. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: "Trippel diffusions mesa typ". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 15A, 800V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hi-res, monitor 19. obs: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-motstånd: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet. Max hFE-förstärkning: 11. Minsta hFE-förstärkning: 3. Ic(puls): 36A. Märkning på höljet: C5696. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: hög hastighet, CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: C5698. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-251, 7.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-251. Samlarström Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 7.5A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2039. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.135V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 100dB. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 11A. Märkning på höljet: C5707. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-omvandlare, TFT-strömförsörjning. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 11A. Märkning på höljet: C5707T. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA2040FA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiell plan kiseltransistor". Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.11V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 21A, 700V. Kollektorström: 21A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Höghastighetsomkoppling. obs: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 20A, 800V. Kollektorström: 20A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. obs: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: C5803. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorström: 22A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): 2-21F2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: För högupplöst horisontell avböjning, HD-TV. Max hFE-förstärkning: 60. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 44A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V