NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1303. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1306. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: C3303. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: NF/SL. Ic(puls): 8A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 0.7A, 180V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högspänningsomkopplingsapplikationer. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1319. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, 500V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 250 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-126F, TO-126F, 50V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: lo-sat . Minsta hFE-förstärkning: 70. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1360. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: hFE 15...30. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: hFE 20...40. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-51 ( MP ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.7pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Video, Hi-def. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 0.2A. obs: 9mm höjd. Märkning på höljet: C3467. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.6pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljudspänningsförstärkare, CRT-definition, videoutgång. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3503-D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1381. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO3P-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 250pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 50. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1386A. Teknik: NPN epitaxiell plan transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Kollektorström: 700mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-43B, TO92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Max hFE-förstärkning: 3200. Minsta hFE-förstärkning: 800. Ic(puls): 1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 15V

NPN-transistor, 6A, 800V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA <200nS. obs: MONITOR. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1200V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

FT: 6 MHz