NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC3157. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1265. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.02A, 40V. Kollektorström: 0.02A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Märkning på höljet: C3198. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 150mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 70. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Spec info: ersättning KTA1267. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minsta hFE-förstärkning: 500. obs: 9mm. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 15A, 230V, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1294. Typ av transistor: NPN. BE-diod: NINCS. Kostnad): 250pF. CE-diod: NINCS. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 40. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 17A, 230V. Kollektorström: 17A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1295. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1302. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1303. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1306. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: C3303. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: NF/SL. Ic(puls): 8A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 0.7A, 180V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högspänningsomkopplingsapplikationer. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1319. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, 500V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 250 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1360. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: hFE 15...30. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: hFE 20...40. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V