NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, P22/U, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: P22/U. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: höjd 5 mm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 5A. Märkning på höljet: C2500. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 5A, TO-220, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120MHz. Märkning på höljet: C2562. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V

NPN-transistor, 0.07A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 0.07A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W

NPN-transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Pd (effektförlust, max): 1.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 50mA, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 150V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W. Tillverkarens märkning: 1. Gränsfrekvens ft [MHz]: allmänt syfte. Driftstemperaturområde min (°C): 130. Drifttemperaturområde max (°C): 0.05A. Ic(puls): 0.1A. Märkning på höljet: C2632S. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxialhyveltyp . Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92Mod 9mm, 50V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Mod 9mm. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Strömförstärkare och omkopplare. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, D6/C, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 1A, 40V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 100...200. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorström: 1.2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 19pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: C2690A Y. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1220A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.8pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Ic(puls): 800mA. obs: 9mm. Märkning på höljet: C2705. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1145. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod DG. Märkning på höljet: DG. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150mW. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1163. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 300mV

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-103, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-103. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 300mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: För muting och växling. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 400mW. RoHS: ja. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 130 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.042V. Vebo: 25V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC2910. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400. Driftstemperaturområde min (°C): 70mA. Drifttemperaturområde max (°C): 140mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1208. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Vebo: 5V