NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C1881. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Videoutgång. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 250V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, 200V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 35V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (effektförlust, max): 8W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.6A, TO-220, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-Tr/E. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 0.1A, 35V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Minsta hFE-förstärkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 700mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Samlarström Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/32V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, PCB-lödning, E-33, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: E-33. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/25V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA940. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 75V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 27 MHz. Pd (effektförlust, max): 6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 900mW. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA966. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA968. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 350. Märkning på höljet: C2240BL. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970BL. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: C224GR. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970GR. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 300V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Funktion: Högspänningsväxling, AF-effektförstärkare. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 3A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1011. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W