NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/40V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 25V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Motstånd B: NINCS. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 460. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 0.2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/40V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92S ( SPT SC-72 ), 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92S ( SPT SC-72 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C1710. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220C, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220C. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 15mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-18, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C1815Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +120°C. Pd (effektförlust, max): 0.4W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1015Y. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: C1841. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.07V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 580. Minsta hFE-förstärkning: 150. Märkning på höljet: C1845. Ekvivalenta: KSC1845. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Samsung--0501-000354. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.07V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126B-A1, 35V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126B-A1. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 20pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 340. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 1.5A. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 3.5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 3.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC1875. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 500V. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C1881. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Videoutgång. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 30. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 250V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, 200V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 35V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (effektförlust, max): 8W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.6A, TO-220, 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-Tr/E. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 300mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 0.1A, 35V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Typ av transistor: NPN