NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 30 v. Kollektorström: 0.4A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. Kostnad): 3pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 500 MHz. Funktion: VHF/UHF-O. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 10. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 55V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 40V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 8pF. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Planar Die Construction". Tf(max): 75 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. Collector-Emitter Voltage VCEO: 40V. Kollektorström: 0.2A. Tillverkarens märkning: 2N3904. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.625W. Maxfrekvens: 300MHz

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. C(tum): 30pF. Kostnad): 6.5pF. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 0.9A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. C(tum): 10pF. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: HI-FI lågbrus förförstärkare. Max hFE-förstärkning: 900. Minsta hFE-förstärkning: 300. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 35V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorström: 0.4A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.2GHz. Max hFE-förstärkning: 210. Minsta hFE-förstärkning: 70. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4pF. CE-diod: NINCS. Konditioneringsenhet: 2000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI lågbrus förförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 4.5V

NPN-transistor, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Hölje: TO-92. Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 80. Ic(puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 600mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 5551. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.6A, M135, 18V. Kollektorström: 0.6A. Hölje (enligt datablad): M135. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 18V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: Transistor VHF-L 130...230MHz. Minsta hFE-förstärkning: 5. Pd (effektförlust, max): 15W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 36V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 500pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2N5884. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-204AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N5886G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +200°C

NPN-transistor, 12A, 100V. Kollektorström: 12A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Minsta hFE-förstärkning: 750. obs: b>750. Pd (effektförlust, max): 150W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, M135, 36V. Kollektorström: 5A. Hölje (enligt datablad): M135. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 36V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Pd (effektförlust, max): 12W. Spec info: SD1012. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorström: 20A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kostnad): 400pF. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Max hFE-förstärkning: 18000. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6287. Vikt: 11.8g. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Funktion: Förstärkare och switchade applikationer. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 90V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5 MHz. Pd (effektförlust, max): 75W. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6491. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 15mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 15mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2N6488G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.075W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 20. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: komplementär transistor (par) 2N6520. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 350V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 17A, MT-200, 200V. Kollektorström: 17A. Hölje (enligt datablad): MT-200. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Typ av transistor: PNP & NPN

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1+1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP & NPN

NPN-transistor, 0.6A, 50V. Kollektorström: 0.6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-202, 3A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-202. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V/45V. Maximal förlust Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, 0.1A, 210V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 210V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 7.9W. Spec info: 8-726-720-00. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 (MOD), 35V. Kollektorström: 2.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126 (MOD). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 3A. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 35V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V