NPN-transistor, 0.5A, 200V - 2SC1962

NPN-transistor, 0.5A, 250V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-32. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-126. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MJE340. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Maximal förlust Ptot [W]: 20W. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-225. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 30pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 30. obs: plasthus. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 20.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: komplementär transistor (par) MJE350. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, 300V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1