NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-51 ( MP ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.7pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Video, Hi-def. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 0.2A. obs: 9mm höjd. Märkning på höljet: C3467. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.6pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljudspänningsförstärkare, CRT-definition, videoutgång. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3503-D. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1381. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), TO3P-3L, 180V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO3P-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 250pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för Hi-fi-ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 180. Minsta hFE-förstärkning: 50. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1386A. Teknik: NPN epitaxiell plan transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Kollektorström: 700mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-43B, TO92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250MHz. Funktion: Hi-beta. Max hFE-förstärkning: 3200. Minsta hFE-förstärkning: 800. Ic(puls): 1A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.14V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 15V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: Hi-deflect (MONITOR). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.5A, 80V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Lågfrekvensomvandlarapplikationer. obs: hFE 140...280. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1480. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/18V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, TO-220FP, TO-220F. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Antal per fodral: 1. Funktion: S-L. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/16V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.2A, 200V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1476. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 550V. C(tum): 4pF. Kostnad): 10pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126LP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Motstånd B: 22. BE-motstånd: 22. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 260 MHz. Funktion: hFE 800. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-98, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-98. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 75V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Motstånd B: 47. BE-motstånd: 10. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: TV-ZF-E. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): MF20 TO220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Drivrutin för solenoid och motor. Minsta hFE-förstärkning: 500. Pd (effektförlust, max): 25W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Märkning på höljet: C3856. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 130W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1492. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN