NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 160. Minsta hFE-förstärkning: 80. Ic(puls): 800mA. Märkning på höljet: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. obs: 9mm. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1145. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: DG. Pd (effektförlust, max): 150mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 300mV. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod DG. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1163. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-103, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-103. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 300mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: För muting och växling. Max hFE-förstärkning: 1200. Minsta hFE-förstärkning: 200. Pd (effektförlust, max): 400mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 130 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.042V. Vebo: 25V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC2910. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): 70mA. Drifttemperaturområde max (°C): 140mA. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1208

NPN-transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.14A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1209. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 150mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, D18/C, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D18/C. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Maximal förlust Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 2. obs: för att byta applikationer. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V

NPN-transistor, PCB-lödning, D8A/C, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8A/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/19V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-lödning, D6/C, 150mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 150mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1249

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 100W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC3157. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1265

NPN-transistor, 0.02A, 40V. Kollektorström: 0.02A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 550 MHz. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1