NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Pd (effektförlust, max): 900mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA966. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA968

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 3pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågt brus, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 350. Märkning på höljet: C2240BL. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970BL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Kostnad): 3pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: C224GR. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA970GR. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 3A. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 300V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: VID-L. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-236, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-236. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Kostnad): 30pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 3A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Högspänningsväxling, AF-effektförstärkare. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1011. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Kostnad): 20pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Märkning på höljet: C2383 Y. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1013. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Max hFE-förstärkning: 390. Minsta hFE-förstärkning: 180. Märkning på höljet: BQ. Temperatur: +155°C. Pd (effektförlust, max): 200mW. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 400mV. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod BQ. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1037. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, P22/U, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: P22/U. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Funktion: CSC2342. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: höjd 5 mm

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 5A. Märkning på höljet: C2500. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: NPN epitaxiell kiseltransistor. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 90V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-3, 17A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-3. Samlarström Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 200V. Maximal förlust Ptot [W]: 200W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO3P ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 450V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, D6/C, 20mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D6/C. Samlarström Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V/30V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 1A, 40V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Pd (effektförlust, max): 8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Funktion: hFE 100...200. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1.2A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 1.2A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 19pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 155 MHz. Funktion: HF. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 2.5A. Märkning på höljet: C2690A Y. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1220A. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS