NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 50mA - 2SC2632
| Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 7.48kr | 9.35kr |
| 5 - 9 | 7.10kr | 8.88kr |
| 10 - 24 | 6.73kr | 8.41kr |
| 25 - 49 | 6.36kr | 7.95kr |
| 50 - 99 | 6.21kr | 7.76kr |
| 100 - 249 | 6.06kr | 7.58kr |
| 250+ | 5.76kr | 7.20kr |
| Kvantitet | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 7.48kr | 9.35kr |
| 5 - 9 | 7.10kr | 8.88kr |
| 10 - 24 | 6.73kr | 8.41kr |
| 25 - 49 | 6.36kr | 7.95kr |
| 50 - 99 | 6.21kr | 7.76kr |
| 100 - 249 | 6.06kr | 7.58kr |
| 250+ | 5.76kr | 7.20kr |
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 50mA - 2SC2632. NPN-transistor, PCB-lödning, D17/C, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D17/C. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W. Antal i lager uppdaterad den 21/04/2025, 06:25.
Motsvarande produkter :
2SC2911
NPN-transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.14A. Hölje (enligt...
NPN-transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.14A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1209. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
NPN-transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.14A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Snabb växlingshastighet. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1209. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
2SC2910
NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92...
NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC2910. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): 70mA. Drifttemperaturområde max (°C): 140mA. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1208
NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 70mA. Hölje (enligt datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2SC2910. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 180V/160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 400. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.08V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): 70mA. Drifttemperaturområde max (°C): 140mA. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1208
KSC2310-Y
NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölj...
NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C2310 Y. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: C2310 Y. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.