NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.15A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: allmänt syfte. Märkning på höljet: C3198. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 150mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-92. Kostnad): 3.5pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 70. Temperatur: +125°C. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: ersättning KTA1267. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minsta hFE-förstärkning: 500. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial typ". Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. obs: 9mm. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Kostnad): 250pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 40. Pd (effektförlust, max): 130W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1294. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 17A, 230V. Kollektorström: 17A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 200W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1295

NPN-transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1301

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1302. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorström: 14A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1303

NPN-transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1306

NPN-transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Max hFE-förstärkning: 240. Minsta hFE-förstärkning: 70. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial Type (PCT Process)". Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Ic(puls): 8A. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V. Antal per fodral: 1. Funktion: NF/SL. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.7A, 180V. Kollektorström: 0.7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 180V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: Högspänningsomkopplingsapplikationer. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Typ av transistor: NPN. obs: hFE 140...280. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1319

NPN-transistor, 5A, 500V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 500V. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 40W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 900V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 200mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V/50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: 250 MHz. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorström: 0.05A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1360

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Funktion: hFE 15...30. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Funktion: hFE 20...40. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3PB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 15 MHz. Funktion: Byta regulatorapplikationer. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SC-51 ( MP ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 200V. Kostnad): 1.7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 200V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: 9mm höjd. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 50mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V/100V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 2.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 0.2A. Märkning på höljet: C3503-D. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Funktion: Ljudspänningsförstärkare, CRT-definition, videoutgång. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1381. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS