Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 38.33kr | 47.91kr |
5 - 9 | 36.42kr | 45.53kr |
10 - 24 | 35.27kr | 44.09kr |
25 - 49 | 34.50kr | 43.13kr |
50 - 99 | 33.73kr | 42.16kr |
100 - 249 | 28.30kr | 35.38kr |
250 - 305 | 27.30kr | 34.13kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 38.33kr | 47.91kr |
5 - 9 | 36.42kr | 45.53kr |
10 - 24 | 35.27kr | 44.09kr |
25 - 49 | 34.50kr | 43.13kr |
50 - 99 | 33.73kr | 42.16kr |
100 - 249 | 28.30kr | 35.38kr |
250 - 305 | 27.30kr | 34.13kr |
NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 700. Minsta hFE-förstärkning: 200. obs: screentryck/SMD-kod DG. Märkning på höljet: DG. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150mW. Spec info: komplementär transistor (par) 2SA1163. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 120V. Mättnadsspänning VCE(lat): 300mV. Originalprodukt från tillverkaren Toshiba. Antal i lager uppdaterad den 15/06/2025, 22:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.