Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
Halvledare Transistorer
N-kanals FET och MOSFET

N-kanals FET och MOSFET

1204 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
Antal i lager : 596
YTAF630

YTAF630

N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A...
YTAF630
N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1
YTAF630
N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1
Set med 1
18.64kr moms incl.
(14.91kr exkl. moms)
18.64kr
Antal i lager : 1474
ZVN3306F

ZVN3306F

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT...
ZVN3306F
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVN3306F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
ZVN3306F
N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVN3306F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C
Set med 1
6.91kr moms incl.
(5.53kr exkl. moms)
6.91kr
Antal i lager : 66
ZVNL120A

ZVNL120A

N-kanals transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.1...
ZVNL120A
N-kanals transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.18A. Resistans Rds På: 10 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Antal per fodral: 1
ZVNL120A
N-kanals transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.18A. Resistans Rds På: 10 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Antal per fodral: 1
Set med 1
17.31kr moms incl.
(13.85kr exkl. moms)
17.31kr
Antal i lager : 159
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ...
ZXMN7A11GTA
N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 70V. C(tum): 298pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
ZXMN7A11GTA
N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 70V. C(tum): 298pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
13.99kr moms incl.
(11.19kr exkl. moms)
13.99kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.