N-kanals FET och MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 70V, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VNP5N07-E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 31W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +135°C

N-kanals transistor, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. Resistans Rds På: 0.12 Ohms. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 45V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 107ns. Typ av transistor: MOSFET. IDss (min): 30uA. obs: screentryck/SMD-kod S3NV04DP. Märkning på höljet: S3NV04DP. Pd (effektförlust, max): 4W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 450 ns. Td(på): 90 ns. Teknik: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 650V, 38A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 53 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 193 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2940pF. Maximal förlust Ptot [W]: 277W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.0055 Ohms. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 130A. Effekt: 260W

N-kanals transistor, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 60V. Resistans Rds På: 0.0029 Ohms. Hölje: TO-220AB. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 200A. Effekt: 260W

N-kanals transistor, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220. Drain-source spänning (Vds): 100V. Resistans Rds På: 0.0086 Ohms. Hölje: TO-220. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 70A. Effekt: 125W

N-kanals transistor, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Resistans Rds På: 0.4 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Advanced Power MOSFET

N-kanals transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVN3306F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 35pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

N-kanals transistor, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (max): 0.18A. Resistans Rds På: 10 Ohms. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logisk nivå. Pd (effektförlust, max): 0.7W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

N-kanals transistor, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (max): 1uA. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 70V. C(tum): 298pF. Kostnad): 35pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 10A. IDss (min): 0uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 11.5 ns. Td(på): 1.9 ns. Teknik: "Förbättringsläge MOSFET". Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V