FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-92, -30V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J175. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (max): 25mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (effektförlust, max): 350mW. Resistans Rds På: 250 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: P-Channel Switch. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 4 v. Grind/källa spänning (av) min.: 1V. Antal per fodral: 1. Funktion: VGS(off) 1V...4V

P-kanal transistor, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 5mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 6E. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: J-FET Ampl.. Port-/källspänning Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (max): 9mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 5pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Märkning på höljet: 61U. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: J-FET Ampl.. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod 61U. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (max): 60mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 11pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 6W. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: P-Channel Switch. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 6V. Grind/källa spänning (av) min.: 3V. Antal terminaler: 3. obs: screentryck/SMD-kod 6W. Konditioneringsenhet: 3000

P-kanal transistor, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (max): 20mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. Kanaltyp: P. Typ av transistor: JFET. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Märkning på höljet: 6Y. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: P-Channel Switch. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/källa spänning (av) max.: 2.5V. Grind/källa spänning (av) min.: 0.8V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod 6Y. Konditioneringsenhet: 3000

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -30V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. RoHS: ja. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 6Y. Dräneringsström Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Gate-source brytpunktsspänning Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Komponentfamilj: P-kanal JFET transistor. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 45pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-220AB, -500V, -2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MTP2P50EG. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 42 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1183pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-220AB, -30V, -50A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: M50P03HDLG. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 117 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4900pF. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-220AB, -20V, -24A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDP6020P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Gate haverispänning Ugs [V]: -0.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1590pF. Maximal förlust Ptot [W]: 60W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (max): 200uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 79pF. Kostnad): 10pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 610. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Resistans Rds På: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 10 ns. Td(på): 2.5 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. obs: screentryck/SMD-kod 610. Funktion: Spänningsstyrd P-kanal liten signalomkopplare, högdensitetscelldesign för låg RDS(ON). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 10uA. Hölje: SSOT. Hölje (enligt datablad): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 195pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Resistans Rds På: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 25 ns. Td(på): 8 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDS352APRL. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 135pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. Kanaltyp: P. Funktion: Dubbla 60V P & P-kanal. Id(imp): 10A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal per fodral: 2. Konditioneringsenhet: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDT452AP. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 690pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NDT456P. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1440pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 20P06LG. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1190pF. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 500pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: NT2955. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: NT2955G. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 750pF. Maximal förlust Ptot [W]: 55W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 500pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 50us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: NT2955. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.155 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 26 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Funktion: ID pulse 36A/10ms. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, SO, SOP-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Funktion: 27.5 & 34m Ohms). Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal per fodral: 2

P-kanal transistor, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 40V. C(tum): 690pF. Kostnad): 310pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 15.5 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Förbättring av logisk nivå. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Pd (effektförlust, max): 28W. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 19.8 ns. Td(på): 6.7 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 50V. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 125us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: D8P05. Pd (effektförlust, max): 48W. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET MegaFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, TO-220FP, TO-220F, 630V. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 630V. C(tum): 1250pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: P. Kollektorström: 40A. Ic(puls): 200A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 20 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Grind/sändarspänning VGE: 30 v. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2.5V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS