FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (max): 250uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 620pF. Kostnad): 280pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 54ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Pd (effektförlust, max): 68W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F9Z34NS. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 620pF. Maximal förlust Ptot [W]: 68W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 270pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 100dB. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 10 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 1.1A, DIP-4, -60V. Max dräneringsström: 1.1A. Hölje: DIP-4. Drain-source spänning (Vds): -60V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Resistans Rds På: 0.50 Ohms

P-kanal transistor, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 570pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Konditioneringsenhet: 100dB. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning, HD-1, -60V, -1.6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: HD-1. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9024PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 570pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 500uA. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 200pF. Kostnad): 94pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 82 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET POWWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Kapsling (JEDEC-standard): 1.2 Ohms. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9110PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (max): 0.1A. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 0.6A. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

P-kanal transistor, PCB-lödning, DIP4, -100V, -1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: DIP4. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9120PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 390pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (max): 0.56A. Hölje: DIP. Hölje (enligt datablad): DH-1 house, DIP-4. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: FET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 0.34A. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET

P-kanal transistor, PCB-lödning, HD-1, -200V, -0.56A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: HD-1. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 4. Tillverkarens märkning: IRFD9220PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, ITO-220AB, -100V, -11A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFI9540GPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 24 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 48W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 4.3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 200V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.7A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.8 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 28ns

P-kanal transistor, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (max): 4.1A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Spänning Vds(max): 250V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 1 Ohm. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 34ns

P-kanal transistor, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (max): 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 0.96A. obs: b47kaa. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 0.54 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FE. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 270pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 200pF. Kostnad): 94pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 3.1W. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 3.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250mA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 1300pF. Kostnad): 400pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. IDss (min): 25mA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 140W. Resistans Rds På: 0.117 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 51 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-247AC, -100V, -23A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9140NPBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maximal förlust Ptot [W]: 140W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247AC. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Kapsling (JEDEC-standard): 180W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9140PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 16 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 34 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 180W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247AC. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 370pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 250 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.57 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: komplementär transistor (par) IRFP240. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-247, -200V, -12A, 150W. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Kapsling (JEDEC-standard): 150W. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFP9240PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 71ms. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Märkning på höljet: IRFR5305. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.065 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET ® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS