FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 600pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 3.2W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 35 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (max): 5.3A. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Kanaltyp: P. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: V-MOS. Antal per fodral: 1

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI9953DY. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 90 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): PG-TO220-3. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 335pF. Kostnad): 105pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 60 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Funktion: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (max): 10uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 230pF. Kostnad): 95pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: dv/dt-klassat förbättringsläge. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Märkning på höljet: 18P06P. Pd (effektförlust, max): 81W. Resistans Rds På: 0.102 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 25 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.7V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

P-kanal transistor, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 340pF. Kostnad): 40pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 20 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: kopplingskretsar. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 10P6F6. Pd (effektförlust, max): 35W. Resistans Rds På: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 64 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: Låg grindladdning STRipFET™ II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 80A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 5500pF. Kostnad): 1130pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 165 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: STripFETTM II Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-220AB, -60V, -53A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SUP53P06-20. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 104W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 745pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 30A, TO-220AB, -100V. Max dräneringsström: 30A. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): -100V. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: P. Effekt: 125W. Resistans Rds På: 0.056 Ohms

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-92, -100V, -0.23A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVP2110A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 100pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: ZVP3306F. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 8 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-92, -240V, -0.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Drain-source spänning Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.0V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 15 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C