P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
9.88kr
5-49
8.29kr
50-99
6.98kr
100-199
6.34kr
200+
5.27kr
Antal i lager: 78

P-kanal transistor IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (max): 500uA. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 8.8A. Kanaltyp: P. Kostnad): 94pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 3.1W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 15 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Vishay. Antal i lager uppdaterad den 11/12/2025, 12:58

Teknisk dokumentation (PDF)
IRFL9110
28 parametrar
ID (T=25°C)
1.1A
Idss (max)
500uA
Hölje
SOT-223 ( TO-226 )
Hölje (enligt datablad)
SOT-223
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
200pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
0.69A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
8.8A
Kanaltyp
P
Kostnad)
94pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
3.1W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
1.2 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
15 ns
Td(på)
10 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
80 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Vishay