FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=25°C): 18A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 650pF. Kostnad): 270pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 25uA. Ekvivalenta: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (effektförlust, max): 57W. Resistans Rds På: 0.11 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (max): 500uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 270pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: FET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 25W. Resistans Rds På: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 9.6 ns. Td(på): 11 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFR9014PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 11 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 9.6 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 270pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 570pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100us. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 350pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 47 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.175 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 23 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR9024N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 38W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR9024N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 38W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFR9024PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 15 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 570pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (max): 5.6A. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252AA. Spänning Vds(max): 100V. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. ID (T=100°C): 3.6A. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.6 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET

P-kanal transistor, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (max): 250uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 350pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 40W. Resistans Rds På: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 28 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: FR9120N. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 28 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 350pF. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 500uA. Hölje (enligt datablad): D-PAK ( TO-252AA ). Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 340pF. Kostnad): 110pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 150 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. IDss (min): 100uA. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 1.5 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 7.3 ns. Td(på): 8.8 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 2V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Funktion: dynamiskt dv/dt-förhållande, snabb växling. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spänning Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRFR9220PBF. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.8 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7.3 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 340pF. Maximal förlust Ptot [W]: 42W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 500uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 570pF. Kostnad): 360pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 42W. Resistans Rds På: 0.28 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 15 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 350pF. Kostnad): 170pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 47 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.175 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 23 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: L5602S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 53 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1460pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: D. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 23 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 75pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 5uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 510pF. Kostnad): 71pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 17 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. IDss (min): 1uA. obs: screentryck/SMD-kod H. Märkning på höljet: H. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.25W. Resistans Rds På: 0.098 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 52 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 350 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 12 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 88pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: C. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 22 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 97pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.54W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 25uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Spänning Vds(max): 20V. C(tum): 633pF. Kostnad): 145pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.3W. Resistans Rds På: 0.05 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 588 ns. Td(på): 350 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.4V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 350 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 588 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 633pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23/6. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: 2E. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -1.2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1079pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Hölje: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hölje (enligt datablad): ISOPLUS247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. C(tum): 2560pF. Kostnad): 210pF. Kanaltyp: P. Trr-diod (Min.): 25 ns. Funktion: C2-Class High Speed IGBT. Kollektorström: 60A. Ic(puls): 33A. obs: isolerat hölje. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 167W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 130 ns. Td(på): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.9V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 5V. CE-diod: ja. Germanium diod: NINCS

P-kanal transistor, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264. Spänning Vds(max): 200V. C(tum): 12pF. Kostnad): 2210pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 315 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 890W. Resistans Rds På: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 89 ns. Td(på): 32 ns. Teknik: PolarPTM Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS