Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

P-kanal transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - NTD2955-1G

P-kanal transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - NTD2955-1G
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 9.59kr 11.99kr
5 - 9 9.11kr 11.39kr
10 - 24 8.82kr 11.03kr
25 - 49 8.63kr 10.79kr
50 - 99 8.44kr 10.55kr
100 - 249 8.15kr 10.19kr
250 - 288 8.58kr 10.73kr
Kvantitet U.P
1 - 4 9.59kr 11.99kr
5 - 9 9.11kr 11.39kr
10 - 24 8.82kr 11.03kr
25 - 49 8.63kr 10.79kr
50 - 99 8.44kr 10.55kr
100 - 249 8.15kr 10.19kr
250 - 288 8.58kr 10.73kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 288
Set med 1

P-kanal transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V - NTD2955-1G. P-kanal transistor, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spänning Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(tum): 500pF. Kostnad): 150pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 50 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: NT2955. Pd (effektförlust, max): 55W. Resistans Rds På: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 26 ns. Td(på): 10 ns. Teknik: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Onsemi. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 10:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.