Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner
0
Produktkategori :
Audio
>
307
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektriskt skydd
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledare
>
14313
Kablar
>
1760
Kapslingar för elektronik
>
1202
Kontakter
>
5643
Kyl
>
750
Mekaniska delar
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passiva komponenter
>
10158
Reläer
>
843
Reparation
>
921
Transformatorer
>
547
Växlar
>
926
Verktyg
>
1365
Halvledare Transistorer
N-P MOSFET transistorpar

N-P MOSFET transistorpar

54 tillgängliga produkter
Produkter per sida :
12 3
Antal i lager : 225
FDS8962C

FDS8962C

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
FDS8962C
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel MOSFET-transistor, N- och P-kanaler, PowerTrench . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V
FDS8962C
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: dubbel MOSFET-transistor, N- och P-kanaler, PowerTrench . Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal per fodral: 2. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V
Set med 1
24.46kr moms incl.
(19.57kr exkl. moms)
24.46kr
Antal i lager : 1
FMY4T148

FMY4T148

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Y4. Märkning på höljet: Y4. RoHS: ja. Montering/insta...
FMY4T148
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Y4. Märkning på höljet: Y4. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje (enligt datablad): SMT5. Antal per fodral: 2
FMY4T148
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Y4. Märkning på höljet: Y4. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje (enligt datablad): SMT5. Antal per fodral: 2
Set med 1
35.03kr moms incl.
(28.02kr exkl. moms)
35.03kr
Antal i lager : 21
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Antal t...
HGTG30N60B3D
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
HGTG30N60B3D
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
155.34kr moms incl.
(124.27kr exkl. moms)
155.34kr
Antal i lager : 30
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal t...
HGTG40N60B3
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 47 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
HGTG40N60B3
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 290W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 170 ns. Td(på): 47 ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.4V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 3V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. CE-diod: NINCS. Germanium diod: NINCS
Set med 1
203.00kr moms incl.
(162.40kr exkl. moms)
203.00kr
Antal i lager : 55
IRF7101

IRF7101

MOSFET transistor. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/in...
IRF7101
MOSFET transistor. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
IRF7101
MOSFET transistor. Funktion: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
10.76kr moms incl.
(8.61kr exkl. moms)
10.76kr
Antal i lager : 184
IRF7309

IRF7309

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminale...
IRF7309
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2
IRF7309
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.05R & 0.1R. ID (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.4W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. Antal per fodral: 2
Set med 1
10.59kr moms incl.
(8.47kr exkl. moms)
10.59kr
Antal i lager : 4026
IRF7317

IRF7317

MOSFET transistor. C(tum): 780pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: ...
IRF7317
MOSFET transistor. C(tum): 780pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IRF7317
MOSFET transistor. C(tum): 780pF. Kostnad): 430pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 47 ns. Funktion: 0.029R & 0.58R. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
17.05kr moms incl.
(13.64kr exkl. moms)
17.05kr
Antal i lager : 44
IRF7319

IRF7319

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: F7319. Antal terminaler: 8. Pd (effektförl...
IRF7319
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: F7319. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. obs: ( = P23AF 4532 SMD ). obs: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
IRF7319
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: F7319. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: N&P-HEXFET Power MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. obs: ( = P23AF 4532 SMD ). obs: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
Set med 1
14.86kr moms incl.
(11.89kr exkl. moms)
14.86kr
Antal i lager : 138
IRF7343

IRF7343

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transis...
IRF7343
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms
IRF7343
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms
Set med 1
28.33kr moms incl.
(22.66kr exkl. moms)
28.33kr
Antal i lager : 50
IRF7389

IRF7389

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transis...
IRF7389
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
IRF7389
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
Set med 1
14.68kr moms incl.
(11.74kr exkl. moms)
14.68kr
Antal i lager : 170
P2804NVG

P2804NVG

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust,...
P2804NVG
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2
P2804NVG
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 28 & 65m Ohms). Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SOP-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
19.45kr moms incl.
(15.56kr exkl. moms)
19.45kr
Antal i lager : 77
SI4532ADY

SI4532ADY

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.2W. RoHS: ja. Mon...
SI4532ADY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS
SI4532ADY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS
Set med 1
12.46kr moms incl.
(9.97kr exkl. moms)
12.46kr
Antal i lager : 2461
SI4532CDY

SI4532CDY

MOSFET transistor. C(tum): 340pF. Kostnad): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 30 ns. IDss (min):...
SI4532CDY
MOSFET transistor. C(tum): 340pF. Kostnad): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS
SI4532CDY
MOSFET transistor. C(tum): 340pF. Kostnad): 67pF. Kanaltyp: N-P. Trr-diod (Min.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
11.83kr moms incl.
(9.46kr exkl. moms)
11.83kr
Antal i lager : 10
SI4539ADY

SI4539ADY

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
SI4539ADY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS
SI4539ADY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS
Set med 1
21.56kr moms incl.
(17.25kr exkl. moms)
21.56kr
Antal i lager : 41
SI4542DY

SI4542DY

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
SI4542DY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS
SI4542DY
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: D-S-MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS
Set med 1
31.93kr moms incl.
(25.54kr exkl. moms)
31.93kr
Antal i lager : 66
SI9926BDY

SI9926BDY

MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: ...
SI9926BDY
MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: (G-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
SI9926BDY
MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: (G-S) MOSFET. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
16.94kr moms incl.
(13.55kr exkl. moms)
16.94kr
Antal i lager : 120
SI9936BDY

SI9936BDY

MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad kom...
SI9936BDY
MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
SI9936BDY
MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
22.44kr moms incl.
(17.95kr exkl. moms)
22.44kr
Antal i lager : 5
SI9943DYT1

SI9943DYT1

MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: ...
SI9943DYT1
MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
SI9943DYT1
MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SMD. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
227.54kr moms incl.
(182.03kr exkl. moms)
227.54kr
Antal i lager : 2067
SI9945AEY

SI9945AEY

MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3....
SI9945AEY
MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 60V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
SI9945AEY
MOSFET transistor. Trr-diod (Min.): 45 ns. Funktion: 9.31k Ohms. ID (T=100°C): 3.7A. Idss (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1uA. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 60V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
17.01kr moms incl.
(13.61kr exkl. moms)
17.01kr
Slut i lager
SI9956DY

SI9956DY

MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad kom...
SI9956DY
MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 20V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
SI9956DY
MOSFET transistor. Funktion: 9.31k Ohms. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 20V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
25.56kr moms incl.
(20.45kr exkl. moms)
25.56kr
Antal i lager : 5
SK85MH10

SK85MH10

MOSFET transistor. RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: modul. Konfiguration: Skruvad. Antal term...
SK85MH10
MOSFET transistor. RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: modul. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SK85MH10. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 120ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 570 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9100pF. Komponentfamilj: full MOSFET-brygga, NMOS. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C
SK85MH10
MOSFET transistor. RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning. Hölje: modul. Konfiguration: Skruvad. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SK85MH10. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Gate haverispänning Ugs [V]: 3.3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 120ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 570 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 9100pF. Komponentfamilj: full MOSFET-brygga, NMOS. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C
Set med 1
730.39kr moms incl.
(584.31kr exkl. moms)
730.39kr
Antal i lager : 49
SP8M2

SP8M2

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
SP8M2
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms
SP8M2
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms
Set med 1
16.79kr moms incl.
(13.43kr exkl. moms)
16.79kr
Antal i lager : 462
SP8M3

SP8M3

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
SP8M3
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms
SP8M3
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms
Set med 1
29.29kr moms incl.
(23.43kr exkl. moms)
29.29kr
Antal i lager : 41
SP8M4

SP8M4

MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Monte...
SP8M4
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SP8M4FU6TB. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms
SP8M4
MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: SP8M4FU6TB. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms
Set med 1
32.74kr moms incl.
(26.19kr exkl. moms)
32.74kr
Slut i lager
STS4DNF30L

STS4DNF30L

MOSFET transistor. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ...
STS4DNF30L
MOSFET transistor. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
STS4DNF30L
MOSFET transistor. Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: 2xN-CH 30V. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2
Set med 1
14.48kr moms incl.
(11.58kr exkl. moms)
14.48kr
12 3

Information och teknisk hjälp

Via telefon :
Via e-post
Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.