MOSFET transistor HGTG30N60B3D

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 1	124.27kr	155.34kr
2 - 2	118.06kr	147.58kr
3 - 4	115.57kr	144.46kr
5 - 9	111.84kr	139.80kr
10 - 14	109.36kr	136.70kr
15 - 19	105.63kr	132.04kr
20 - 21	101.90kr	127.38kr

Kvantitet	U.P
1 - 1	124.27kr	155.34kr
2 - 2	118.06kr	147.58kr
3 - 4	115.57kr	144.46kr
5 - 9	111.84kr	139.80kr
10 - 14	109.36kr	136.70kr
15 - 19	105.63kr	132.04kr
20 - 21	101.90kr	127.38kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 21

Set med 1

MOSFET transistor HGTG30N60B3D. MOSFET transistor. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: N-P. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Germanium diod: NINCS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Originalprodukt från tillverkaren Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 15:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!