MOSFET transistor HGTG30N60B3D. Antal terminaler: 3. CE-diod: nej. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Germanium diod: nej. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4.2V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Hölje (enligt datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Hölje: TO-247. Kanaltyp: N-P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.45V. Pd (effektförlust, max): 208W. RoHS: ja. Td(av): 137 ns. Td(på): 36ns. Originalprodukt från tillverkaren: Fairchild. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 20:19