MOSFET transistor IRF7343
Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.11kr
5-24
20.76kr
25-49
19.00kr
50-99
17.51kr
100+
15.73kr
| +3 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet! | |
| Antal i lager: 128 |
MOSFET transistor IRF7343. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Avgift: 24/26nC. Dräneringskälla spänning: 55/-55V. Dräneringsström: 4.7/-3.4A. Effekt: 2W. Funktion: par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer. Grindspänning: 20V, ±20V. Hölje (enligt datablad): SO-8. Hölje: SO. Kanaltyp: N-P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 2W. Polaritet: unipolär. RoHS: ja. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Teknik: HEXFET®. Termisk motstånd: 62.5K/W. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43
IRF7343
19 parametrar
Antal per fodral
2
Antal terminaler
8
Avgift
24/26nC
Dräneringskälla spänning
55/-55V
Dräneringsström
4.7/-3.4A
Effekt
2W
Funktion
par komplementära N-kanals- och P-kanals MOSFET-transistorer
Grindspänning
20V, ±20V
Hölje (enligt datablad)
SO-8
Hölje
SO
Kanaltyp
N-P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
2W
Polaritet
unipolär
RoHS
ja
Spec info
0.043 Ohms & 0.095 Ohms
Teknik
HEXFET®
Termisk motstånd
62.5K/W
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier