MOSFET transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (effektförlust, max): 11W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Dual E nhancement Mode Fälteffekttransistor. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 4. obs: Dual E nhancement Mode Fälteffekttransistor