Transistorer

C(tum): 5110pF. Kostnad): 1190pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 80 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Snabbväxling, fordonsapplikationer. Id(imp): 700A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 3.9M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 3850pF. Kostnad): 610pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 100 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 82A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 230W. Resistans Rds På: 13m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Tillverkarens märkning: IRF2807PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 49 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3820pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 82A. Effekt: 200W. Resistans Rds På: 0.013 Ohms. Hölje: TO-220. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Drain-source spänning (Vds): 75V

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F2807S. Drain-source spänning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 49 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3820pF. Maximal förlust Ptot [W]: 230W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 260A. Pd (effektförlust, max): 290W. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 30 v

C(tum): 6320pF. Kostnad): 1980pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (effektförlust, max): 290W. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 48 ns. Td(på): 24 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 30 v. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 7500pF. Kostnad): 970pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 41 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRF2907Z. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 97 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 180A. Idss (max): 180A. Pd (effektförlust, max): 300W. Resistans Rds På: 0.03 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Spänning Vds(max): 75V

C(tum): 3247pF. Kostnad): 781pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF3205PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3247pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3247pF. Kostnad): 781pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 69 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". Id(imp): 390A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250nA. IDss (min): 25nA. Ekvivalenta: IRF3205SPBF. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 50 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F3205S. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3247pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3450pF. Kostnad): 550pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 28 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: "Avancerad processteknik". Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 4.9m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 75A. Effekt: 170W. Resistans Rds På: 0.0049 Ohm. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning (Vds): 55V

C(tum): 1300pF. Kostnad): 300pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 174 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 136W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 9.6 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2400pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 260 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 71 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 150V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 43A. Effekt: 130W. Resistans Rds På: 0.042 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 150V

C(tum): 3230pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 23m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 49 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET® Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF3710PBF. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3130pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

C(tum): 3000pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F3710S. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3130pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 110A. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.047 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 20V. Funktion: td(on) 12ns, td(off) 17ns

C(tum): 2980pF. Kostnad): 1770pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekvent isolerad DC-DC. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 2150pF. Kostnad): 680pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 16 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekvent Synchronous Buck. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 92A. Idss (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 79W. Resistans Rds På: 0.0048 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 15 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 5310pF. Kostnad): 890pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 93 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 550A. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Märkning på höljet: IRF3808. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 330W. Resistans Rds På: 0.0059 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 68 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 75V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS