IRF3710S

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	36.12kr	45.15kr
5 - 9	34.32kr	42.90kr
10 - 24	32.51kr	40.64kr
25 - 49	30.71kr	38.39kr
50 - 59	29.98kr	37.48kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	36.12kr	45.15kr
5 - 9	34.32kr	42.90kr
10 - 24	32.51kr	40.64kr
25 - 49	30.71kr	38.39kr
50 - 59	29.98kr	37.48kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 59

Set med 1

IRF3710S. C(tum): 3000pF. Kostnad): 640pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 210 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.025 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 58 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 05:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!