IRF3711S

IRF3711S. C(tum): 2980pF. Kostnad): 1770pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 48 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Högfrekvent isolerad DC-DC. Id(imp): 440A. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 110A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 4.7M Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 17 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 20V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 21:25.