ON Semiconductor TIG056BF-1E N-Kanal IGBT 430V 240A TO-220FP

Teknisk beskrivning av produkten (TIG056BF-1E):

Kollektor/emitter-spänning Vceo: 430V. Kapsel (enligt datablad): TO-220F-3FS. Kapsel: TO-220FP. Germaniumdiod: Suppressor. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Diverse: blixt, stroboskopkontroll. Specifikationsinfo: High speed fall time--tf=270nS (typ). CE-diod: nej. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N. Funktion: Låg mättnadsspänning, ultrahög hastighetsomkoppling. Teknik: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Mättnadsspänning VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Gate-emitter-spänning VGE: 33V. C (out): 100pF. Max effektförlust: 30W. Max mättnadsspänning VCE(sat): 5V. Gate-emitter-spänning VGE(th) min.: 2.5V. Gate-emitter-spänning VGE(th) max.: 5V. Kollektorström: 240A.