NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 230V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2.8pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 30 MHz. Funktion: Kompletterande bipolär krafttransistor. Produktionsdatum: 201444 201513. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 25A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MJW1302A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Power bipolär transistor. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: UNI. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: 1 P. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD 1P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1P. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1S. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1.2A. Märkning på höljet: 2F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. RoHS: ja. Spec info: SMD '2F'. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1AM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): SOT-23. Kostnad): 1.6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: UNI. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: 1AM. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Spec info: SMD 1AM. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: Switchande transistor. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 0.9A. Märkning på höljet: 2x. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/CMS-kod 2X. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. RoHS: ja. Komponentfamilj: PNP transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 2L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 150V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.250W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Märkning på höljet: 2 L. Ekvivalenta: MMBT5401LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. Spec info: screentryck/SMD-kod (2Lx datumkod). Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Kollektorström: 0.6A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: G1. Ekvivalenta: MMBT5551LT1G. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod G1 (3S Fairchild). Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 600mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: G1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1GM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: Högspänningsförstärkare transistor (SMD -version av MPSA42 -transistorn). Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. obs: 1D. Märkning på höljet: 1D. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) MMBTA92. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1D. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 5mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 5mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 3EM. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 650 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Märkning på höljet: Y1. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8E. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: A8K. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.246W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: ett par komplementära transistorer. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 150W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP & NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: MPSA42. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 300V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92A, 12V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 45. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Spec info: MPS9630K. Typ av transistor: NPN. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 10. Kostnad): 300pF. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100MHz. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 4 v