NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-363, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-363. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: D*2. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Kostnad): 100pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: DTR.. Pd (effektförlust, max): 0.2W. Spec info: screentryck/CMS-kod XJ. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, 1500V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 30pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, ITO-218, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: ITO-218. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: högspännings NPN-transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: S2000N. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1.5 kV. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 55pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: plast. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Collector-Emitter Voltage VCEO: 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247-T. Typ av transistor: Krafttransistor. Polaritet: NPN. Ansökningar: växlande. Effekt: 50W. Inbyggd diod: ja

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 160V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 160V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: NF/L, HI-FI Audio. obs: hFE 5000...20000. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) SAP15P. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 400V. Kollektorström: 15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 8pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. BE-diod: NINCS. C(tum): 11pF. Kostnad): 1.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: högspänningsförstärkare, SMD-version av MPSA42. Minsta hFE-förstärkning: 25. obs: komplementär transistor (par) SMBTA92. Märkning på höljet: s1D. Pd (effektförlust, max): 0.36W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod S1D. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 9pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 200. Minsta hFE-förstärkning: 120. Märkning på höljet: S8050 C. Pd (effektförlust, max): 1W. Teknik: "Epitaxial kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 28pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Klass B Push-pull-drift. Max hFE-förstärkning: 135. Minsta hFE-förstärkning: 96. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: utmärkt hFE-linjäritet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.16V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 270 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.45W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 8A. Märkning på höljet: 13005A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 16. Ic(puls): 16A. Märkning på höljet: 13007A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 50. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 15...28. Märkning på höljet: ST13009L. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Spec info: ST13009L. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V

NPN-transistor. BE-diod: NINCS. Kostnad): 122pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), MT-100 TO-3P-5, 160V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): MT-100 TO-3P-5. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 45pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Darlington Transistors för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Antal terminaler: 5. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), MT-100 TO-3P-5, 160V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): MT-100 TO-3P-5. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Darlington Transistors för ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Antal terminaler: 5. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 160W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: PNP & NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Högspännings snabbomkopplande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 32. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: N83003. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) STN93003. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 215pF. CE-diod: NINCS. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: Lågspänningssnabbväxlande NPN-effekttransistor. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.6W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.32V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: HIGH SWITCH. Pd (effektförlust, max): 1.5W. Spec info: Hög hastighet. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorström: 7A. Hölje: ISOWATT218. Hölje (enligt datablad): ISOWATT218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Snabbväxling med hög spänning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: switching, ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP107. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V