NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 2A, 60V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 4A. obs: >1000. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, 80V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 2pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. obs: >1000. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: TO-220. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 5A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP120. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 5A. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP122. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: kisel. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(tum): TO-220. Kostnad): 200pF. CE-diod: ja. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Max hFE-förstärkning: +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP127G. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP132. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 15000. Maximal förlust Ptot [W]: 70W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) TIP137. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Kostnad): 60pF. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Monolitisk älskling. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Motstånd B: Darlington Power Transistor. C(tum): 100V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Komplementär effekt Darlington transistor. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP147T. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Monolitisk älskling. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: ljudförstärkare. Max hFE-förstärkning: 70. Minsta hFE-förstärkning: 20. obs: komplementär transistor (par) TIP2955. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: Låg kollektor-emitter-mättnadsspänning. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 90W

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 24. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP32C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP34C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-247. Hölje (enligt datablad): TO-247. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Produktionsdatum: 1450. Max hFE-förstärkning: 50. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50A. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP36C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 125W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 25A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: TIP35CG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistorer. Max hFE-förstärkning: 75. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) TIP42C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100V, 6A, TO-220. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, 400V, 1A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 400V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 1W

NPN-transistor, 50V, 3A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.75W. Maxfrekvens: 90MHz

NPN-transistor, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorström: 18A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PMLH. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Hög hastighet.. Max hFE-förstärkning: 15. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 35A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Tf(max): 0.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FI. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 110pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 8. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: med polarisationsmotstånd Rbe. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Tf(max): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Pd (effektförlust, max): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan kiseltransistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 10A, 800V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 80pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1600V

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Antal per fodral: 2. obs: screentryck/SMD-kod H21. Märkning på höljet: H21. Antal terminaler: 6. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*

NPN-transistor, EMT6. Hölje (enligt datablad): EMT6. Märkning på höljet: H9C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: *SMD SO6*. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod H9C