NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 1.5pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 220. Minsta hFE-förstärkning: 110. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 1E. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 1E. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.09V

NPN-transistor, SOT23, 45V. Hölje: SOT23. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: NPN. Effekt: 0.25W. VCBO med kollektorbas: 50V. Monteringstyp: SMD. Bandbredd MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 200. Nuvarande Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1F. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Hölje (enligt datablad): SOT-363. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Ic(puls): 200mA. Märkning på höljet: 13. Antal terminaler: 6. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 13. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: PNP & NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-88, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-88. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-363. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 13. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.22W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 250. Pd (effektförlust, max): 0.225W. Spec info: screentryck/SMD-kod 1G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod 1K. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1g. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.31W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1Ls. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.33W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 1L. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SC-70, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SC-70. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-323. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 800. Minsta hFE-förstärkning: 420. Spec info: SMD 2G. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 22pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: CAC. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod CAC. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 22pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 170 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: CDC. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod CDC. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), TSSOP6, 100mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: TSSOP6. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: par NPN- och PNP-transistorer. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 6. Tillverkarens märkning: M1. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1.5A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP54/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BCP51-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 25pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP 5516. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BCP52-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 1A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BH-10. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 6pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: Ljud, telefoni och biltillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: BCP56/16. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BCP53-16. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V