NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 6A, 120V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, 60V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.9W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB764. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3 ( TO-204 ), 600V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Motstånd B: NINCS. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 50 Ohms. C(tum): TO-3. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Max hFE-förstärkning: 1500V/600V. Minsta hFE-förstärkning: 8. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, 30 v. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (effektförlust, max): 0.75W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. Kostnad): 45pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 7A. Märkning på höljet: D882. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB772. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/J, 7A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/J. Samlarström Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 330V/200V. Maximal förlust Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Pd (effektförlust, max): 5W. Spec info: TO-126. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.02A, 120V. Kollektorström: 0.02A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: NF. Pd (effektförlust, max): 0.4W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 50pF. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: AF-utgångsförstärkare. Max hFE-förstärkning: 600. Minsta hFE-förstärkning: 340. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.35V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, D8/C, 500mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: D8/C. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 25V/20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D13009K. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D209L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 490V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 20. Minsta hFE-förstärkning: 16. Ic(puls): 3A. Märkning på höljet: 4202BD. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 800V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.18V. Vebo: 13V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-323, 40mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-323. Samlarström Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN -transistor med hög frekvens. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 5.5V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Motstånd B: NINCS. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): TO-18. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. Motstånd B: ja. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning. C(tum): 80pF. Kostnad): 25pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för medelhög effekt och switchningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: komplementär transistor (par) BC161-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. obs: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN