NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): 2-10R1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 35pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 100. Märkning på höljet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1366. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Silicon NPN Triple Diffused Type. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.4V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220FP. Samlarström Ic [A], max.: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V/60V. Maximal förlust Ptot [W]: 30W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3A. Driftstemperaturområde min (°C): 30W. Drifttemperaturområde max (°C): Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Funktion: isolerad pakettransistor. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Kollektorström: 3.5A. Hölje: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CTV-HA. Pd (effektförlust, max): 40W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 6A, 600V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 110V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN

FT: 150 MHz

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TOP-3L. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal för 120W Hi-Fi-utgång. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 3500. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Trippel diffusion planar typ darlington . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorström: 0.3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: IBp=2A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50MHz. Funktion: Effektförstärkning med hög framåtström. Max hFE-förstärkning: 1000. Minsta hFE-förstärkning: 500. Ic(puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: 2.37k Ohms. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1560. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorström: 2A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. obs: screentryck/SMD-kod DT. Pd (effektförlust, max): 0.5W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1561. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8 MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 6A. Märkning på höljet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 55pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 30W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 150W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 160V

Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: hFE 5000. Kollektorström: 8A. Pd (effektförlust, max): 70W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Spec info: komplementär transistor 2SB1587

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (effektförlust, max): 70W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1588. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 110V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. obs: >5000. Pd (effektförlust, max): 60W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1625. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): 2-16E3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 600V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: 40 Ohms. Kostnad): 95pF. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad MESA-typ". Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, 700V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: CRT-HA Hi-r. obs: Vce(sat)=5V. Pd (effektförlust, max): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 3A. Hölje: MT-3-A1. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 1.5W. Maxfrekvens: 50 MHz

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-förstärkning: 12000. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Märkning på höljet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1659. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 110V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V