NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 3.5A, 800V. Kollektorström: 3.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PF. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 800V. Kollektorström: 6A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hölje (enligt datablad): SOT-89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Konditionering: rulla. Konditioneringsenhet: 1000. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: bipolär transistor. Max hFE-förstärkning: 270. Minsta hFE-förstärkning: 120. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: screentryck/SMD-kod DAQ. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Epitaxiell plan typ . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorström: 7A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Id(imp): 12A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1135. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: kopplingskretsar. Max hFE-förstärkning: 280. Minsta hFE-förstärkning: 70. Id(imp): 15A. obs: komplementär transistor (par) 2SB1136. Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( MP-5 ), 60V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126 ( MP-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 40V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FP, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 90pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8MHz. Max hFE-förstärkning: 320. Minsta hFE-förstärkning: 60. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Pd (effektförlust, max): 25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, 160V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1186A. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 100V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. obs: >1000. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Kollektorström: 3A. Hölje: SMD. Hölje (enligt datablad): D-PAK TO-252. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 25pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högströmsväxling. Max hFE-förstärkning: 560. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 15W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1202. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorström: 8A. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 180 MHz. Funktion: High-Current Switching, låg mättnad spänning. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1204. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Epitaxiala plana kiseltransistorer". Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220ML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Funktion: förare . Max hFE-förstärkning: 5000. Minsta hFE-förstärkning: 2000. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: "Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor". Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 70V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.9V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 100W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hölje (enligt datablad): TO-3PML. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 800V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Funktion: Färg-TV Horisontell avböjning Utgångsförstärkare.. Max hFE-förstärkning: 10. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Lågfrekvent effektförstärkare. Pd (effektförlust, max): 20W. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1274. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 60V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: allmänt syfte. Minsta hFE-förstärkning: 5000. Pd (effektförlust, max): 1.2W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, 80V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: isolerad pakettransistor. Minsta hFE-förstärkning: 3000. obs: =3000. Pd (effektförlust, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) 2SB1342. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, M31/C, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: M31/C. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilj: Npn bipolär transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 1500V/650V. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Tillverkarens märkning: kisel. Gränsfrekvens ft [MHz]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): 1500V. Drifttemperaturområde max (°C): 650V

NPN-transistor, 3A, 80V. Kollektorström: 3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: (F). Pd (effektförlust, max): 30W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, 650V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV/HA(F). Pd (effektförlust, max): 50W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-förstärkning: 350. Minsta hFE-förstärkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.6W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN