NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220C. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D13009K. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 4 MHz. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 8. Ic(puls): 24A. Märkning på höljet: D209L. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 120W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(min): 0.7us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 700V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.2V

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-323, 40mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-323. Samlarström Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN -transistor med hög frekvens. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 32. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 5.5V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 450. Minsta hFE-förstärkning: 200. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 300 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-18 ( TO-206 ). Hölje (enligt datablad): TO-18. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 4.5pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: allmänt syfte. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. RoHS: ja. BE-diod: NINCS. C(tum): 80pF. Kostnad): 25pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: för medelhög effekt och switchningsapplikationer. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Spec info: komplementär transistor (par) BC161-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 350mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Max hFE-förstärkning: 500. Minsta hFE-förstärkning: 240. obs: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.2A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. CE-diod: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 280 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: BC237/25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC237BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, TO92, 45V. Hölje: TO92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Typ: transistor för lågeffektapplikationer. Polaritet: NPN. Effekt: 0.625W. VCBO med kollektorbas: 50V. Monteringstyp: Genomgående hålmontering på kretskort. Bandbredd MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 170. Nuvarande Max 1: 0.8A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 40pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC369. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 160000. Minsta hFE-förstärkning: 8000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 12V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V