NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: BC237/25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC237BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 120V, TO-39. Kollektorström: 0.5A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 120V. Hölje: TO-39. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W. Maxfrekvens: 120MHz

NPN-transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Collector-Emitter Voltage VCEO: 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W. Maxfrekvens: 120MHz

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 120 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.85W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 15pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 210 MHz. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-25. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 800mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC337-40. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 45V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 160. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-25. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92Ammo-Pack. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 12pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 630. Minsta hFE-förstärkning: 250. Ic(puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC327-40. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Epitaxiell plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Voltage VCEO: 50V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: TO-92. Typ av transistor: NPN-transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W. Maxfrekvens: 100MHz

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. BE-diod: NINCS. Kostnad): 40pF. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 400. Minsta hFE-förstärkning: 63. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.8W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 40 MHz. Max hFE-förstärkning: 375. Minsta hFE-förstärkning: 85. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC369. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 160000. Minsta hFE-förstärkning: 8000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 12V. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 250 MHz. Funktion: allmänt syfte. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 2. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200MHz. Minsta hFE-förstärkning: 30000. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BC516. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1.2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 1A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN-transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BC517. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Gränsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.625W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C