NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 0.2A, 30 v. Kollektorström: 0.2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-A. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 200mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BFU590G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 24V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 8.5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 2W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 140V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 150 MHz. Funktion: Högspänningstransistor. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Spec info: komplementär transistor (par) BFV421

NPN-transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-72. Hölje (enligt datablad): TO-72. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 100mA. Antal terminaler: 4. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Hölje: TO-50. Kollektorström: 0.025A. Hölje (enligt datablad): TO-50-3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Motstånd B: NINCS. BE-motstånd: PCB-lödning (SMD). C(tum): TO-50. CE-diod: ytmonterad komponent (SMD). Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3.2GHz. Funktion: Bredbands RF-förstärkare upp till GHz-intervall.. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 20. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 25V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.1V. Spec info: "Planar RF Transistor"

NPN-transistor, 1A, 100V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. obs: b>70. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.75W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-39 ( TO-205 ). Hölje (enligt datablad): TO-39. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 75V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.75W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.25A, 50V. Kollektorström: 1.25A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 50V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (effektförlust, max): 1.07W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, 36V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 36V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (effektförlust, max): 7.8W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 40V. Kollektorström: 2A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (effektförlust, max): 2W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Smart High-Side Power Switch". Ekvivalenta: ISP452. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 500mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-261AA. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: AS3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.8W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorström: 0.8A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 40V. Kostnad): 8pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 350 MHz. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Märkning på höljet: U8. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 60 ns. Tr: 25 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: screentryck/CMS-kod U8. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: U8. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 800mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: U8. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Kollektorström: 1A. Hölje: SOT-89. Hölje (enligt datablad): SOT89. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. C(tum): 90pF. Kostnad): 12pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 100 MHz. Funktion: Medium POWER, solenoid, relä- och ställdondrivrutiner & DC/DC-moduler. Max hFE-förstärkning: 300. Minsta hFE-förstärkning: 35. Ic(puls): 2A. Märkning på höljet: AR4. Pd (effektförlust, max): 1W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf (typ): 1000 ns. Tr: 250 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.25V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: screentryck/SMD-kod AR4. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorström: 1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 200 MHz. Max hFE-förstärkning: 2000. Minsta hFE-förstärkning: 1000. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja

NPN-transistor, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorström: 250mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 25. Märkning på höljet: B2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Spec info: screentryck/SMD-kod B2

NPN-transistor, 1A, 120V. Kollektorström: 1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Pd (effektförlust, max): 5W. Typ av transistor: NPN. Spec info: TO39

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorström: 2.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 1500V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. CE-diod: ja

NPN-transistor, 7A, 60V. Kollektorström: 7A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: S-L TV-HA. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 130V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: kHz. Max hFE-förstärkning: 7. Minsta hFE-förstärkning: 4. Ic(puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 35W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Krafttransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 13.5V

NPN-transistor, 8A, 150V. Kollektorström: 8A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: TV-HA. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 330V

NPN-transistor, 5A, 700V. Kollektorström: 5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 700V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 125W. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 1500V