NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-89, 50mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-89. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Kapsling (JEDEC-standard): TO-243. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: DA. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 250V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 1.1W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, 300V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, 15V. Kollektorström: 25mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-V M/O. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100mA. Märkning på höljet: 1V. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Antal per fodral: 1. Spec info: screentryck/SMD-kod

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-202, 100mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-202. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 160V. Maximal förlust Ptot [W]: 1.8W

NPN-transistor, 50mA, 275V. Kollektorström: 50mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 275V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Pd (effektförlust, max): 7W. RoHS: NINCS. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 35. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorström: 150mA. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz bredbandstransistor. Max hFE-förstärkning: 130. Minsta hFE-förstärkning: 80. Pd (effektförlust, max): 1W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorström: 200mA. Hölje: SOT-223 ( TO-226 ). Hölje (enligt datablad): SOT-223. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Kostnad): 0.7pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 7GHz. Funktion: För VHF/UHF-antennförstärkare och RF-kommunikationstillämpningar. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 60. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 2W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 4. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. C(tum): 1.3pF. Kostnad): 0.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: V3%. Pd (effektförlust, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/CMS-kod V3. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorström: 50mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143B. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 10V. C(tum): 1.3pF. Kostnad): 0.7pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 100. Minsta hFE-förstärkning: 60. Märkning på höljet: %MW. Pd (effektförlust, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/SMD-kod MW. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 0.1A. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Pd (effektförlust, max): 1.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorström: 80mA. Hölje: SOT-143. Hölje (enligt datablad): SOT-143. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. C(tum): 0.9pF. Kostnad): 0.28pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Märkning på höljet: RC. Pd (effektförlust, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 4. Spec info: screentryck/SMD-kod RC. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.3A, 100V. Kollektorström: 0.3A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: "Hi-res". Pd (effektförlust, max): 3W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BFQ252. obs: Tc.=115°C

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Kollektorström: 0.15A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: UHF-A. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 1.25A, 36V. Kollektorström: 1.25A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 36V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 175 MHz. Pd (effektförlust, max): 4W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 210mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 210mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: R7s. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.7W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Kollektorström: 0.045A. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. C(tum): 0.64pF. Kostnad): 0.23pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbandstransistor (UHF-A). Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 70. Pd (effektförlust, max): 0.28W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorström: 25mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. C(tum): 1.2pF. Kostnad): 0.6pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbandstransistor (UHF-A). Max hFE-förstärkning: 135. Minsta hFE-förstärkning: 65. Märkning på höljet: P2p. Pd (effektförlust, max): 0.3W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod P2P. Konditioneringsenhet: 3000. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 25mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: P2. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-23, 45mA. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Samlarström Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: GFs. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 15V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.28W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorström: 35mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 40. Märkning på höljet: R2. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Konditioneringsenhet: 3000. Spec info: SMD R2. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Kollektorström: 100mA. Hölje: SOT-37 ( TO-50 ). Hölje (enligt datablad): SOT-37 ( TO-50 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 5GHz. Funktion: RF-förstärkare upp till GHz-intervall för antennförstärkare.. Max hFE-förstärkning: 150. Minsta hFE-förstärkning: 25. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 700W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: "Planar RF Transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorström: 25mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 15V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Max hFE-förstärkning: 90. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 50mA. Märkning på höljet: E2. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 300mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorström: 25mA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 20V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 450 MHz. Funktion: "IF och VHF tjock- och tunnfilmskrets". Max hFE-förstärkning: 140. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 25mA. Märkning på höljet: G1*. Pd (effektförlust, max): 200mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: screentryck/SMD-kod G1p, G1t, G1W