N-kanals transistor STF11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Resistans Rds På: 0.37 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220FP. Spänning Vds(max): 600V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 850pF. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Kostnad): 44pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: 11NM60ND. Pd (effektförlust, max): 25W. Port-/källspänning Vgs: 25V. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(av): 50 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: MDmesh II POWER MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 05:54