International Rectifier IRFB23N15D N-Kanal HEXFET Power MOSFET 150V 23A 0.09 Ohm TO-220

Teknisk beskrivning av produkten (IRFB23N15D):

Spänning Vds(max): 150V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 23A. Id (T=100°C): 17A. Genomgångsresistans Rds On: 0.09 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-220AB. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Högfrekventa DC-DC omvandlare. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. G-S skydd: nej. Td(off): 18 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 10 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 92A. Märkning på kapslingen: B23N15D. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Trr Diod (Min.): 150 ns. Maximal effektförlust: 136W. Förpackning: plaströr. Drain-source skydd: Zenerdiod. Gate/Source spänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5.5V. Förpackningsenhet: 50.