International Rectifier IRF450 N-Kanal HEXFET Power MOSFET 500V 12A 0.4 Ohm TO-3

Teknisk beskrivning av produkten (IRF450):

Spänning Vds(max): 500V. Idss (max): 250uA. Id (T=25°C): 12A. Id (T=100°C): 7.75A. Genomgångsresistans Rds On: 0.4 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3 (TO-204A). Kapsling: TO-3 (TO-204). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal anslutningar: 2. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. Teknologi: HEXFET Power MOSFET transistor. G-S skydd: nej. Td(off): 170 ns. Idss (min): 25uA. Td(on): 35 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 48A. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Trr Diod (Min.): 1600 ns. Maximal effektförlust: 150W. Drain-source skydd: Zenerdiod. Gate/Source spänning Vgs: 20V.